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视频地址：唐老师讲电赛（6）MOS管

符号

G极，不用说比较好认。

S极，不论是P沟道还是N沟道两根线相交的就是；
D极，不论是P沟道还是N沟道：是单独引线的那边。

寄生二极管（体二极管）的方向

它的判断规则就是：N沟道，由S极指向D极；P沟道，由D极指向S极。

连接方法

一般用的MOS管均为增强型MOS管。

作用

1. 开关作用
2. 隔离作用
3. 可调电阻

       如果MOS管用作开关时，（不论N沟道还是P沟道），一定是寄生二极管的负极接输入边，正极接输出端或接地。
       否则就无法实现开关功能了。
       所以，N沟道一定是D极接输入，S极接输出或地。
       P沟道则相反，一定是S极接输入，D极接输出。
       如果MOS管用作隔离时，（不论N沟道还是P沟道），寄生二极管的方向一定是和主板要实现的单向导通方向一致。
       笔记本主板上用PMOS做隔离管的最常见，但也有极少的主板用NMOS来实现。

导通问题

NMOS

PMOS

开关作用

MOS开关实现电压通断：（下图管子符号应该用错了，图上是耗尽型MOS管，应为增强型MOS管）

隔离作用

引脚分辨

常见型号

NMOS的参数

VDSS最大漏-源电压

       在栅源短接，漏-源额定电压（VDSS）是指漏-源未发生雪崩击穿前所能施加的最大电压。根据温度的不同，实际雪崩击穿电压可能低于额定VDSS.

VGS最大栅源电压

       VGS额定电压是栅源两极间可以施加的最大电压。设定该额定电压的主要目的是防止电压过高导致的栅氧化层损伤。

ID-连续漏电流

       ID定义为芯片在最大额定结温TJ（max）下，管表面温度在25℃或者更高温度下，可允许的最大连续直流电流。

VGS（th）

       是指加的栅源电压能使漏极开始有电流，或关断MOSFET时电流消失时的电压，测试的条件（漏极电流，漏源电压，结温）也是有规格的。正常情况下，所有的MOS栅极器件的阈值电压都会有所不同。因此，VGS（th）的变化范围是规定好的。VGS（th）是负温度系数，当温度上升时，MOSFET将会在比较低的棚源电压下开启。

RDS（on）导通电阻

       RDS（on）是指在特定的漏电流（通常为ID电流的一半）、栅源电压和25℃的情况下测得的漏-源电阻。

Ciss：输入电容

       将漏源短接，用交流信号测得的栅极和源极之间的电容就是输入电容。Ciss是由栅漏电容Cgd和栅源电容Cgs并联而成，或者Ciss=Cgs +Cgd，当输入电容充电致阈值电压时器件才能开启，放电致一定值时器件才可以关断。因此驱动电路和Ciss对器件的开启和关断延时有着直接的影响。

Qgs，Qgd，和Qg

       棚电荷栅电荷值反应存储在端子间电容上的电荷，既然开关的瞬间，电容上的电荷随电压的变化而变化，所以设计栅驱动电路时经常要考虑栅电荷的影响。
       栅极电荷Qg是产生开关损耗的主要原因。栅极电荷是MOS管门极充放电所需的能量，相同电流、电压规格的MOSFET，具有比较大的栅极电荷意味着在MOS开关过程中会损耗更多的能量。所以，为了尽可能降低MOS管的开关损耗，工程师在电源设计过程中需要选择同等规格下Qg更低的MOS管作为主功率开关管。

损耗因素

       影响开关电源电源效率的两个损耗因素是：导通损耗和开关损耗。

导通损耗

       导通损耗具体来讲是由MOS管的导通阻抗Rds产生的，Rds与栅极驱动电压Vgs和流经MOS管的电流有关。如果想要设计出效率更高、体积更小的电源，必须充分降低导通阻抗。

开关损耗

       开关损耗，栅极电荷Qg是产生开关损耗的主要原因。栅极电荷是MOS管门极充放电所需的能量，相同电流、电压规格的MOSFET，具有比较大的栅极电荷意味着在MOS开关过程中会损耗更多的能量。所以，为了尽可能降低MOS管的开关损耗，工程师在电源设计过程中需要选择同等规格下Qg更低的MOS管作为主功率开关管。